тип памяти: энергонезависимая
формат памяти: EEPROM
технология: EEPROM
размер памятии: 1K x 8
интерфейс памяти: I2C
тактовая частота: 400 кГц
время цикла записи - слово, страница: 5 мс
время доступа: 4,5 МКС
напряжение питания: 4,5 в - 5,5 в
рабочая температура: -40°C - 85°C (та)
корпус: SOIC - 8
цена за 1 шт.
подпись: T80-E
