спецификация
производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
тип tranzystora
N-MOSFET
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
unipolarny
напряжение стока-источник
55V
ток стока
27A
рассеиваемая мощность
56W
корпус
TO220AB
напряжение затвора-источник
±16v
сопротивление в проводящем состоянии
35mω
сборка
THT
нагрузка затвора
16,7 NC
тип упаковки
трубка
тип канала
обогащенный
свойства полупроводниковых элементов
logic Level
