Микросхема 4116 DRAM 16k 200ns NMOS Siemens HYB4116-P3 DIP16

интегральная схема 4116 DRAM 16k 200ns NMOS Siemens HYB4116-P3 DIP16

производитель: Siemens

IC: DRAM; 16K (16384 x 1 бит); access 200ns; cycle 375ns; Iccmax 35ma; power: active 462mw / standby 20mW; 5V TTL; DIP16;

Siemens HYB4116 16,384x1bit 200NS NMOS Dynamic Random Access Memory Plastic DIP16

datasheet.datasheetarchive.com/originals/distributors/Datasheets-X/DSA842000-160.pdf

datasheetspdf.com/pdf-file/534629/InfineonTechnologies/HYB4116-3/1

если в названии аукциона в конце есть "x", это означает количество штук по этой цене (например, x5 = 5 штук). Если в конце заголовка нет "x", цена указана за одну штуку.