память память ST M27C512-12F1 EPROM
напряжение Vc: 5V
напряжение программирования: 12,75 в
емкость: 64 кбит x 8 бит (512 кбит)
корпус DIP-28
применение: прошивка цифровых устройств
память память ST M27C512-12F1 EPROM
напряжение Vc: 5V
напряжение программирования: 12,75 в
емкость: 64 кбит x 8 бит (512 кбит)
корпус DIP-28
применение: прошивка цифровых устройств