комплект включает транзистор 2sd718 (NPN) и 2sb688 (PNP)

VCBO - напряжение коллектор-база (при открытом эмиттере): 120 В

VCEO - напряжение коллектор-эмиттер (при открытом основании): 120 В

VEBO - напряжение эмиттер-база (при открытом коллекторе): 5 В

IC - ток коллектора: 8 A

IB - ток базы: 0.8 A

PT - общая мощность рассеивания (TC = 25°C): 80 Вт

TJ - температура разъема: 150°C

TSTG - температура хранения: -55~150°C