IRLR2905 NPN MOSFET 41A 55V TO252 SMD транзистор

• производитель: Infineon (IRF).
• тип транзистора: это транзистор типа N-MOSFET.
• поляризация: транзистор имеет униполярную поляризацию, что означает, что управление осуществляется одним типом носителя заряда.
• тип транзистора: транзистор относится к типу HEXFET, который является известной технологией высокопроизводительных униполярных транзисторов.
• напряжение стока-источника: максимальное напряжение, которое транзистор может обрабатывать между стоком и источником, составляет 55 В.
• ток стока: максимальный ток, который может протекать через сток транзистора, составляет 42 а.
• мощность: максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без превышения допустимой температуры, составляет 110 Вт.
• корпус: транзистор имеет корпус типа DPAK. DPAK-это корпус транзистора с технологией поверхностного монтажа (SMD), который обеспечивает удобную установку и хорошее охлаждение.
• напряжение затвора-источника: максимальное напряжение, которое может применяться между затвором и источником транзистора, составляет 16 в.
• сопротивление в проводящем состоянии: сопротивление транзистора в проводящем состоянии составляет 27 мом. Это сопротивление, которое транзистор предлагает протекающему току во включенном состоянии.
• тепловое сопротивление разъем-корпус: тепловое сопротивление между разъемом и корпусом транзистора составляет 1,8 К / Вт.
• монтаж: транзистор предназначен для монтажа в технологии поверхностного монтажа (SMD).
• заряд затвора: заряд затвора транзистора составляет 32nC. Это значение, которое влияет на время переключения транзистора.

мы рекомендуем вам ознакомиться с нашими другими привлекательными предложениями! Мы предлагаем широкий выбор высококачественных продуктов, которые могут удовлетворить различные потребности.

Спасибо за ВАШ интерес к нашей продукции и с нетерпением ждем вашего следующего визита!