ТРАНЗИСТОР IRLR2905 NPN MOSFET 41A 55V TO252 SMD

IRLR2905 NPN MOSFET 41a 55V to252 SMD транзистор

• виробник: Infineon (IRF).
• тип транзистора: це транзистор типу N-MOSFET.
• поляризація: транзистор має однополярну поляризацію, що означає, що управління здійснюється одним типом носія заряду.
• тип транзистора: транзистор відноситься до типу HEXFET, який є відомою технологією високопродуктивних однополярних транзисторів.
• напруга стоку-джерела: Максимальна напруга, яку транзистор може обробляти між стоком і джерелом, становить 55 в.
• струм стоку: Максимальний струм, який може протікати через стік транзистора, становить 42 а.
• потужність: максимальна потужність, яку транзистор може розсіювати без перевищення допустимої температури, становить 110 Вт.
• корпус: транзистор має корпус типу DPAK. DPAK-це корпус транзистора з технологією поверхневого монтажу (SMD), який забезпечує зручну установку і хороше охолодження.
• напруга затвора-джерела: Максимальна напруга, яке може застосовуватися між затвором і джерелом транзистора, становить 16 в.
• опір в провідному стані: опір транзистора в провідному стані становить 27 мом. Це опір, який транзистор пропонує струму, що протікає, у включеному стані.
• тепловий опір роз'єм-корпус: тепловий опір між роз'ємом і корпусом транзистора становить 1,8 до / Вт.
• монтаж: транзистор призначений для монтажу в технології поверхневого монтажу (SMD).
• заряд затвора: заряд затвора транзистора становить 32NC. Це значення, яке впливає на час перемикання транзистора.

ми рекомендуємо вам ознайомитися з нашими іншими привабливими пропозиціями! Ми пропонуємо широкий вибір високоякісних продуктів, які можуть задовольнити різні потреби.

Дякуємо за ваш інтерес до нашої продукції і з нетерпінням чекаємо вашого наступного візиту!